English
Spain
China
Italy
GermanyMT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Примечания
IC FLASH 3TBIT PARALLEL 333MHZ
Подробное описание
FLASH - NAND Memory IC 3Tbit Parallel 333 MHz
Производитель
Micron Technology Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
3Tbit
Memory Organization
384G x 8
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
333 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
-
Package / Case
-
Supplier Device Package
-
Base Product Number
MT29E3T08
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Другие названия
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:BTR
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR-ND
Категория
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Документация и средства массовой информации
PCN Packaging
1(Memory 24-May-2022)
Количественные цены
-
Альтернативы
-