English
Spain
China
Italy
GermanyIRFU3504Z
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFU3504Z
Примечания
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Подробное описание
N-Channel 40 V 42A (Tc) 90W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1510 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU3504Z
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFR3504Z, IRFU3504Z)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Simulation Models
1(IRFR3504Z Saber Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-