English
Spain
China
Italy
GermanyIXFN120N65X2
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXFN120N65X2
Примечания
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Подробное описание
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
47 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
10
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN120
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
632519
IXFN120N65X2X-ND
IXFN120N65X2X
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN120N65X2
Документация и средства массовой информации
Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(IXFN120N65X2)
Количественные цены
Количество: 100
Стоимость единицы: $35.3188
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $40.238
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $45.16
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-