Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SIHB22N60EF-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 600 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
21 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1423 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB22

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB22N60EF-GE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(SiHB22N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SiHB22N60EF)

Количественные цены

Количество: 5000
Стоимость единицы: $1.60125
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1000
Стоимость единицы: $1.77252
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $2.3289
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $2.879
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $3.43
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-