Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPD65R250E6XTMA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Подробное описание
N-Channel 650 V 16.1A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ E6
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD65R

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

IPD65R250E6XTMA1DKR
IPD65R250E6XTMA1TR
2156-IPD65R250E6XTMA1
ROCINFIPD65R250E6XTMA1
IPD65R250E6XTMA1CT
SP000898656
IPD65R250E6XTMA1-ND

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD65R250E6XTMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPD65R250E6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD65R250E6)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V E6 Spice Model)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPD65R225C7ATMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 3,813
Стоимость единицы : $2.57000
Тип замены : Similar