English
Spain
China
Italy
GermanyAPT47N65BC3G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
APT47N65BC3G
Примечания
MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Подробное описание
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Производитель
Microsemi Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Microsemi Corporation
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7015 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 [B]
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
APT47N65
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
APT47N65BC3G-ND
150-APT47N65BC3G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT47N65BC3G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(APT47N65SB,SC3 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(APT47N65SB,SC3 Datasheet)
Количественные цены
-
Альтернативы
-