English
Spain
China
Italy
GermanySUD50N03-12P-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SUD50N03-12P-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Подробное описание
N-Channel 30 V 16.8A (Ta) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SUD50
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUD50N03-12P-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SUD50N03-12P-GE3)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016)
HTML Datasheet
1(SUD50N03-12P-GE3)
Количественные цены
-
Альтернативы
-