English
Spain
China
Italy
GermanyIXYP10N65B3D1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXYP10N65B3D1
Примечания
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Подробное описание
IGBT PT 650 V 32 A 160 W Through Hole TO-220
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
XPT™, GenX3™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
32 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
62 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 10A
Power - Max
160 W
Switching Energy
300µJ (on), 200µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
20 nC
Td (on/off) @ 25°C
17ns/125ns
Test Condition
400V, 10A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
29 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
Base Product Number
IXYP10
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/IXYS IXYP10N65B3D1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IXYP10N65B3D1)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev obs 15/Feb/2023)
Количественные цены
-
Альтернативы
-