English
Spain
China
Italy
GermanySISS42DN-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SISS42DN-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
Подробное описание
N-Channel 100 V 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
18 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S
Package / Case
PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number
SISS42
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SISS42DN-T1-GE3CT
SISS42DN-T1-GE3TR
SISS42DN-GE3
SISS42DN-T1-GE3DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SISS42DN-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SISS42DN)
PCN Assembly/Origin
1(Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023)
HTML Datasheet
1(SISS42DN)
Количественные цены
Количество: 9000
Стоимость единицы: $0.625
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000
Количество: 6000
Стоимость единицы: $0.6464
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Минимальный множитель: 6000
Альтернативы
-