English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6100
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6100
Примечания
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Подробное описание
P-Channel 20 V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
6,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1230 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-FlipFet™
Package / Case
4-FlipFet™
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRF6100TR
*IRF6100
IRF6100CT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6100
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6100)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6100)
Simulation Models
1(IRF6100 Saber Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-