English
Spain
China
Italy
GermanyNTGS1135PT1G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
NTGS1135PT1G
Примечания
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Подробное описание
P-Channel 8 V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
NTGS1135PT1G Models
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 6 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
970mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base Product Number
NTGS11
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
2156-NTGS1135PT1G-ONTR
ONSONSNTGS1135PT1G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTGS1135PT1G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(NTGS1135P)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML Datasheet
1(NTGS1135P)
EDA Models
1(NTGS1135PT1G Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-