English
Spain
China
Italy
GermanyFQI13N50CTU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQI13N50CTU
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Подробное описание
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
211
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
195W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
FAIFSCFQI13N50CTU
2156-FQI13N50CTU
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI13N50CTU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 211
Стоимость единицы: $1.42
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 211
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 211
Альтернативы
-