English
Spain
China
Italy
GermanySSM3K35MFV,L3F
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SSM3K35MFV,L3F
Примечания
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Подробное описание
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
SSM3K35MFV,L3F Models
Стандартная упаковка
8,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150mW (Ta)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
VESM
Package / Case
SOT-723
Base Product Number
SSM3K35
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV,L3F
Документация и средства массовой информации
Featured Product
1(Server Solutions)
EDA Models
1(SSM3K35MFV,L3F Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-