English
Spain
China
Italy
GermanySI8465DB-T2-E1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SI8465DB-T2-E1
Примечания
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Подробное описание
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
4-Microfoot
Package / Case
4-XFBGA, CSPBGA
Base Product Number
SI8465
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SI8465DB-T2-E1TR
SI8465DBT2E1
SI8465DB-T2-E1CT
SI8465DB-T2-E1DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI8465DB-T2-E1
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SI8465DB)
Количественные цены
Количество: 10
Стоимость единицы: $0.389
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $0.46
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-