English
Spain
China
Italy
GermanyFJN3306RBU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FJN3306RBU
Примечания
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
300 mW
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package
TO-92-3
Base Product Number
FJN330
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/onsemi FJN3306RBU
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(Copper Lead Frame 12/Oct/2007)
Количественные цены
-
Альтернативы
-