English
Spain
China
Italy
GermanyPBSS4350S,126
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
PBSS4350S,126
Примечания
TRANS NPN 50V 3A TO92-3
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 100MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
2,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Power - Max
830 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device Package
TO-92-3
Base Product Number
PBSS4
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
PBSS4350S AMO
PBSS4350S AMO-ND
934056901126
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PBSS4350S,126
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(PBSS4350S)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PBSS4350S)
Количественные цены
-
Альтернативы
-