English
Spain
China
Italy
Germany2SA1930,LBS2DIAQ(J
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Примечания
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
180 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
200MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220NIS
Base Product Number
2SA1930
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Другие названия
2SA1930LBS2DIAQJ
2SA1930LBS2DIAQ(J
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,LBS2DIAQ(J
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(2SA1930)
HTML Datasheet
1(2SA1930)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : 2SA1668
Производитель : Sanken Electric USA Inc.
Имеющееся количество : 1,911
Стоимость единицы : $1.79000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 1,911
Стоимость единицы : $1.79000
Тип замены : Similar