English
Spain
China
Italy
GermanyHUF75329D3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
HUF75329D3
Примечания
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Подробное описание
N-Channel 55 V 20A (Tc) 128W (Tc) Through Hole IPAK
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
452
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
128W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-HUF75329D3-FS
FAIFSCHUF75329D3
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF75329D3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(HUF75329D3)
Количественные цены
Количество: 452
Стоимость единицы: $0.66
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 452
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 452
Альтернативы
-