Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
FQI3N30TU
Примечания
MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 300 V 3.2A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
606
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

2156-FQI3N30TU-FS
FAIFSCFQI3N30TU

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI3N30TU

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(FQI3N30TU)

Количественные цены

Количество: 606
Стоимость единицы: $0.5
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 606

Альтернативы

-