Время последнего обновления
20250731
Язык
Россия
English
Spain
China
Italy
Germany
Электронные новости
Онлайн - поиск акций
IXTN120N25
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXTN120N25
Примечания
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Подробное описание
N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
>>>Нажмите для просмотра<<<
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
MegaMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
730W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXTN120
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTN120N25
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
Количественные цены
-
Альтернативы
-
Похожие продукты
RNC55H6730BSB14
DMC-M 01-08 SA
TW-02-07-SM-D-615-055
PMEG4030ER/BX
H2V2.00BK50