English
Spain
China
Italy
GermanyTSM2N100CH C5G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
TSM2N100CH C5G
Примечания
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Подробное описание
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
77W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
TSM2N100
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
TSM2N100CH C5G-ND
TSM2N100CHC5G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N100CH C5G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(TSM2N100CH)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev 17/Sep/2021)
HTML Datasheet
1(TSM2N100CH)
Количественные цены
-
Альтернативы
-