Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
NTE2399
Примечания
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
Подробное описание
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Производитель
NTE Electronics, Inc
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NTE Electronics, Inc NTE2399

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(NTE2399 Datasheet)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE2399 Datasheet)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $7.22
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $7.4
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 20
Стоимость единицы: $7.83
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $8.27
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $8.7
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-