English
Spain
China
Italy
GermanyIPI023NE7N3 G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPI023NE7N3 G
Примечания
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Подробное описание
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI023N
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IFEINFIPI023NE7N3 G
2156-IPI023NE7N3 G-IT
IPI023NE7N3 G-ND
IPI023NE7N3G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI023NE7N3 G
Документация и средства массовой информации
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IPP023NE7N3GXKSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 460
Стоимость единицы : $6.41000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 460
Стоимость единицы : $6.41000
Тип замены : Similar