English
Spain
China
Italy
GermanyBC847QAPN147
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BC847QAPN147
Примечания
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6
Производитель
NXP USA Inc.
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
9,812
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Power - Max
350mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
DFN1010B-6
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
NEXNEXBC847QAPN147
2156-BC847QAPN147
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NXP USA Inc. BC847QAPN147
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BC847QAPN)
HTML Datasheet
1(BC847QAPN)
Количественные цены
-
Альтернативы
-