Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPI020N06NAKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Подробное описание
N-Channel 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IPI020N06NAKSA1 Models
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Ta), 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI02N

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

INFINFIPI020N06NAKSA1
IPI020N06N-ND
2156-IPI020N06NAKSA1
SP000962132
IPI020N06N

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI020N06NAKSA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPI020N06N)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPI020N06N)
EDA Models
1(IPI020N06NAKSA1 Models)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPI086N10N3GXKSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 270
Стоимость единицы : $1.75000
Тип замены : Similar