English
Spain
China
Italy
GermanyFQAF8N80
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQAF8N80
Примечания
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Подробное описание
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
166
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-FQAF8N80-FS
FAIFSCFQAF8N80
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQAF8N80
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQAF8N80)
Количественные цены
Количество: 166
Стоимость единицы: $1.81
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 166
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 166
Альтернативы
-