English
Spain
China
Italy
GermanyIRFDC20
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFDC20
Примечания
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Подробное описание
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IRFDC20 Models
Стандартная упаковка
2,500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
320mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFDC20
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFDC20
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFDC20)
HTML Datasheet
1(IRFDC20)
EDA Models
1(IRFDC20 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRFDC20PBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 5,886
Стоимость единицы : $2.18000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 5,886
Стоимость единицы : $2.18000
Тип замены : Parametric Equivalent