Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SIHG64N65E-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Подробное описание
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
28 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7497 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG64

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SIHG64N65E-GE3-ND
742-SIHG64N65E-GE3

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG64N65E-GE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(SIHG64N65E)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG64N65E)

Количественные цены

Количество: 1000
Стоимость единицы: $8.12696
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 500
Стоимость единицы: $8.86022
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $9.7768
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $11.304
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $12.83
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-