Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IRLS4030-7PPBF
Примечания
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11490 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SP001568682
IRLS40307PPBF

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IRLS4030-7PPBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Design Resources
1(IRLS4030-7PPBF Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRLS4030-7PPBF)
Simulation Models
1(IRLS4030-7PPBF Spice Model)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPB039N10N3GATMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 11,228
Стоимость единицы : $2.93000
Тип замены : Similar