English
Spain
China
Italy
GermanyIRFU15N20DPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFU15N20DPBF
Примечания
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
Подробное описание
N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
*IRFU15N20DPBF
SP001576362
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFU15N20DPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF(R,U)15N20DPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF(R,U)15N20DPbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
-