English
Spain
China
Italy
GermanySI5414DC-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SI5414DC-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Подробное описание
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Base Product Number
SI5414
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SI5414DC)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SI5414DC)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : RQ1C065UNTR
Производитель : Rohm Semiconductor
Имеющееся количество : 2,855
Стоимость единицы : $0.65000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 2,855
Стоимость единицы : $0.65000
Тип замены : Similar