Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPS60R210PFD7SAKMA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
Подробное описание
N-Channel 650 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™PFD7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1015 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
64W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS60R

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

448-IPS60R210PFD7SAKMA1
2156-IPS60R210PFD7SAKMA1
SP003235784

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS60R210PFD7SAKMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPS60R210PFD7S)

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $1.1352
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $1.426
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $1.72
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-