English
Spain
China
Italy
GermanyFQU9N25TU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQU9N25TU
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Подробное описание
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
538
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
2156-FQU9N25TU
FAIFSCFQU9N25TU
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQU9N25TU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQU9N25TU Datasheet)
Количественные цены
Количество: 538
Стоимость единицы: $0.56
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 538
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 538
Альтернативы
-