English
Spain
China
Italy
Germany2SC6042,T2HOSH1Q(J
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Примечания
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
SC-71
Supplier Device Package
MSTM
Base Product Number
2SC6042
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2HOSH1Q(J
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(2SC6042)
HTML Datasheet
1(2SC6042)
Количественные цены
-
Альтернативы
-