English
Spain
China
Italy
GermanyFDD6612A
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FDD6612A
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Подробное описание
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
598
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
2156-FDD6612A
FAIFSCFDD6612A
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDD6612A
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 598
Стоимость единицы: $0.5
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 598
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 598
Альтернативы
-