English
Spain
China
Italy
GermanyIGN1011L70
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IGN1011L70
Примечания
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Подробное описание
RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
Производитель
Integra Technologies Inc.
Стандартный срок поставки
4 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
15
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Integra Technologies Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN HEMT
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain
22dB
Voltage - Test
50 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
22 mA
Power - Output
80W
Voltage - Rated
120 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
PL32A2
Supplier Device Package
PL32A2
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Другие названия
2251-IGN1011L70
EAR99
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Integra Technologies Inc. IGN1011L70
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IGN1011L70)
Количественные цены
Количество: 15
Стоимость единицы: $203.29267
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $212.26
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-