Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXFK120N30T
Примечания
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Подробное описание
N-Channel 300 V 120A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
45 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK120

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK120N30T

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IXF(K,X)120N30T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(GigaMOS™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXF(K,X)120N30T)

Количественные цены

Количество: 300
Стоимость единицы: $10.8154
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 300

Альтернативы

-