Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SCTWA60N120G2-4
Примечания
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Подробное описание
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Производитель
STMicroelectronics
Стандартный срок поставки
52 Weeks
Модель EDACAD
SCTWA60N120G2-4 Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1969 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
388W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(SCTWA60N120G2-4)
EDA Models
1(SCTWA60N120G2-4 Models)

Количественные цены

Количество: 270
Стоимость единицы: $23.73956
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $24.88558
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $27.83267
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $29.142
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $31.6
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-