Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXFH20N85X
Примечания
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Подробное описание
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
47 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
850 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
540W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFH20

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFH20N85X

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IXFx20N85X)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFx20N85X)

Количественные цены

Количество: 1020
Стоимость единицы: $5.6438
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 510
Стоимость единицы: $6.27088
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $7.107
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $7.943
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $9.95
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-