English
Spain
China
Italy
GermanyCE1F3P-AZ
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
CE1F3P-AZ
Примечания
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 70 V 2 A 1 W Through Hole
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
560
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
70 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
1 W
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
3-SSIP
Supplier Device Package
-
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-CE1F3P-AZ
RENRNSCE1F3P-AZ
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation CE1F3P-AZ
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 560
Стоимость единицы: $0.54
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 560
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 560
Альтернативы
-