Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
FCH25N60N
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Подробное описание
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-247
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
80
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
SupreMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
126mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
216W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Другие названия

FAIFSCFCH25N60N
2156-FCH25N60N

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FCH25N60N

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(Datasheet)

Количественные цены

Количество: 80
Стоимость единицы: $3.75
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 80

Альтернативы

-