English
Spain
China
Italy
GermanyIRFZ46NSPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFZ46NSPBF
Примечания
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1696 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001567890
*IRFZ46NSPBF
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFZ46NSPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
HTML Datasheet
1(IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF)
Simulation Models
1(IRFZ46NS Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-