English
Spain
China
Italy
GermanyIRFHS8342TR2PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFHS8342TR2PBF
Примечания
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Подробное описание
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
400
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TSDSON-6
Package / Case
6-PowerVDFN
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRFHS8342TR2PBFCT
IRFHS8342TR2PBFDKR
IRFHS8342TR2PBFTR
SP001575842
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHS8342TR2PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFHS8342PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFHS8342PBF)
Simulation Models
1(IRFHS8342TR2PBF Saber Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-