Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IPS60R650CEAKMA1
Примечания
CONSUMER
Подробное описание
N-Channel 600 V 9.9A (Tj) 82W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,500
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
82W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS60R650

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS60R650CEAKMA1

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IPS60R650CE)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IPS60R650CE)

Количественные цены

-

Альтернативы

Номер запчасти. : IPS60R600PFD7SAKMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 21
Стоимость единицы : $0.90000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : TK8Q65W,S1Q
Производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Имеющееся количество : 5
Стоимость единицы : $1.65000
Тип замены : Similar