English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6718L2TR1PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6718L2TR1PBF
Примечания
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Ta), 270A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.7mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.3W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET L6
Package / Case
DirectFET™ Isometric L6
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRF6718L2TR1PBFDKR
IRF6718L2TR1PBFCT
IRF6718L2TR1PBFTR
SP001530258
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6718L2TR(1)PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
HTML Datasheet
1(IRF6718L2TR(1)PbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Количественные цены
-
Альтернативы
-