English
Spain
China
Italy
GermanySI7100DN-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SI7100DN-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Подробное описание
N-Channel 8 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3810 pF @ 4 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SI7100
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI7100DN-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SI7100DN)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0392016 16/Dec/2016)
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
1(SI7100DN)
Количественные цены
-
Альтернативы
-