English
Spain
China
Italy
GermanyBTS282Z E3230
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BTS282Z E3230
Примечания
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Подробное описание
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
TEMPFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
49 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 240µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET Feature
Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
P-TO220-7-230
Package / Case
TO-220-7
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP000457996
BTS282ZE3230AKSA1
SP000012357
BTS282ZE3230
BTS282Z E3230-ND
BTS282ZE3230NK
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BTS282Z E3230
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BTS282Z)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BTS282Z)
Количественные цены
-
Альтернативы
-