English
Spain
China
Italy
GermanySIHG33N60E-E3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIHG33N60E-E3
Примечания
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Подробное описание
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
28 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG33
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG33N60E-E3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIHG33N60E)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
HTML Datasheet
1(SIHG33N60E)
Количественные цены
Количество: 500
Стоимость единицы: $3.82992
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 500
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 500
Альтернативы
Номер запчасти. : SPW35N60C3FKSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 198
Стоимость единицы : $11.08000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 198
Стоимость единицы : $11.08000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : TK28N65W,S1F
Производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Имеющееся количество : 30
Стоимость единицы : $6.01000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 30
Стоимость единицы : $6.01000
Тип замены : Similar