English
Spain
China
Italy
GermanyFQB85N06TM
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQB85N06TM
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 60 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
212
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 42.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4120 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-FQB85N06TM
FAIFSCFQB85N06TM
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQB85N06TM
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 211
Стоимость единицы: $1.42
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 211
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 211
Альтернативы
-