English
Spain
China
Italy
GermanySPP80N06S2L-07
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SPP80N06S2L-07
Примечания
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
210W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP80N
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SPP80N06S2L07
SP000012823
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP80N06S2L-07
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SP(P,B)80N06S2L-07)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(P,B)80N06S2L-07)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : DMTH6010SCT
Производитель : Diodes Incorporated
Имеющееся количество : 50
Стоимость единицы : $1.57000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 50
Стоимость единицы : $1.57000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : STP80NF55-06
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 1,000
Стоимость единицы : $3.48000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 1,000
Стоимость единицы : $3.48000
Тип замены : Similar